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InGaAs/GaAs应变量子阱激光器具有级低的阈值电流密度、较高的特性温度和较高的光学灾变损伤阈值，这使得激光器具有更高的输出功率和更长的寿命。因此InGaAs/GaAs应变量子阱结构可以用于大功率半导体激光器的制备。 本文采用MBE生长方法制备了高功半导体激光器列阵。激光器的生长结构采用InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量阱线性缓变折射率波导结构，列阵条宽为4mm，通过SiO2掩膜，欧姆接触和腔面镀膜等工艺，实现了阈值电流为2.9A，驱动电流为17.5A时输出功率为20W。器件中心激射波长为979nm，同时，本文对应变量子阱激光器结构和列阵制备工艺进行了一定的理论分析，为以后的工作提供了理论准备。