应变量子阱激光器相关论文
该文通过对1.5μm应变量子阱DFB激光器的老化实验和加速寿命实验,研究了激光器的反常失效和可靠性筛选。通过引入工作电流的特征温度T〈,op〉,发......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
报道了GSMBE方法生长波长1.84μm的InGaAs/InGaAsP/InP应变量子阱激光器.40μm条宽、800μm腔长的平面电极条形结构器件,室温下以脉......
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激......
报道了14xx nm应变量子阱(SQW)激光器管芯的研制成果.通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长工艺生长14xx nm AlGaInAs/AlInAs/InP......
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激......
福建位于我国东南沿海,是我国改革开放先行一步的地区之一,介于经济发达的珠江三角洲与长江三角洲之间。“八五”期间,福建国民生......
报道了GSMBE方法生长波长1.84um的InGaAs/InGaAsP/InP应变激光器,40um条宽、800um腔长的平面电极条形结构器件,室温下以脉冲方式激射......
报道了气态分子束外延(GSMBE)生长1.8-2.0μm波段InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器的研究结果。1.8μm波段采用平面电极条形结构,已制备成......
近日,中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组合作,采用分子束外延技术生长的InGaSb/AlG......
报道了915 ̄980nm半导体激光器的最新进展,宽条激光器输出功率为0.2 ̄2.0W,最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW,水平和垂直方向远场发......
据www.cas.cn网站报道,近日,中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组合作,采用分子束......
InGaAs/GaAs应变量子阱激光器具有级低的阈值电流密度、较高的特性温度和较高的光学灾变损伤阈值,这使得激光器具有更高的输出功率......