LDMOS(Lateral Double.Diffused MOSFET)作为一种横向功率器件,其电极均位于器件表面,易于通过内部连接实现与低压信号电路以及其它器件的单片集成,同时又具有耐压高、增益大、失真低等优点,如今已被广泛应用于功率集成电路中。这当中,LDMOS结构设计的优劣以及LDMOS自身工作的可靠性决定了整个功率集成电路的性能。传统LDMOS的设计主要围绕着击穿电压和导通电阻之间的合理折衷来进行,但由于功率集成电路自身大电流、高电压的特点,其许多应用都要求在高温下工作,因而对LDMOS的安全工作区进行设计也是必不可少的。因而需要对三者综合考虑,以提高器件性能。首先,本文回顾了功率器件的发展历史,接着介绍了几种结终端技术,如场极板、场限环、横向变掺杂等,这些结终端技术在LDMOS的设计中被普遍运用;其次,对LDMOS进行了结构设计,利用MEDICI对其进行器件仿真和利用TSUPREM-4对其进行工艺仿真,并给出了完整的工艺流程;再次,对LDMOS器件的版图进行设计。并对单个元胞、尖端耐压和浅槽隔离技术进行了分析;最后,对整个论文做了一个总结,并提出了本设计以后工作的方向。