浅槽隔离相关论文
100V横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS)被广泛应用于汽车电子及智能......
针对应变硅材料制备复杂的现象,研究了一种基于常规Si工艺的浅槽隔离(STI)技术引入应力,并进行了扫描电子显微镜(SEM),高分辨X射线双......
会议
针对集成电路制造过程中遇到的硅晶体滑移位错以及其引发的低良率问题(表现为器件漏电),提出改变衬底硅的形貌结构(角度)来改善滑......
器件的浅槽隔离区域(STI)能够通过热失配在器件的沟道区引入压应力来提高PMOS的性能。使用了TCAD仿真工具在90nm,45nm、32nm技......
随着器件特征尺寸的不断减小,在器件结构和工艺上采取了新的措施。分析了STI(shallow trench isolation)隔离导致器件电离辐射总剂量......
基于0.18μm CMOS工艺开发了浅槽隔离(STI)场区抗总剂量辐射加固技术,采用离子注入技术使 STI/衬底界面处的 P 型硅反型阈值提高,从而......
应变硅材料、结构、器件是探索后硅CMOS时代新型超高速低功耗集成电路最有发展前号的技术之一,本文对基于浅槽隔离的手段的双轴应变......
最近几年,随着半导体技术的快速发展,半导体集成电路发生了翻天覆地的变化。而其中,半导体的隔离技术也经历了巨大发展。以前当半......
浅槽隔离(STI)工艺因其无鸟嘴、集成度高及隔离能力强等优点成为深亚微米功率集成电路领域的主流,功率STI-LDMOS器件也因此成为应......
LDMOS(Lateral Double.Diffused MOSFET)作为一种横向功率器件,其电极均位于器件表面,易于通过内部连接实现与低压信号电路以及其......