射频横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(RFLDMOSFET)作为功率放大器的核心器件，由于其优异的性能，而被广泛地应用于通信、雷达、航空航天等多种领域。科技的快速发展对其性能提出了越来越高的要求，为了缩短开发周期，提高器件电路仿真的效率，与之对应的模型的建立也成为一个迫切发展的课题。本文基于纳米所自主研发设计的LDMOS进行基于测量的集约模型的建立，所建立的小信号模型S参数在0.1～5GHz最大误差不超过1％，大信号模型的S参数在0.5～2.5GHz最大误差不超过4％，且所建立的大信号模型能表征器件的射频性能。　　论文的主要成果及创新如下:　　1、提出了一种提取小信号模型内部参数的方案，使得所提取的内部参数不依赖于外部参数，且提取方法简单，精度较高。　　2、采用人工神经网络算法对提取的模型参数进行拟合，从而可获得在自变量空间(Vgsi，Vdsi)上均匀分布的模型参数，增加了下一步所建立的大信号模型的精度。　　3、完成了包括封装在内的晶体管模型，并且可仿真封装后晶体管的射频性能，对后续晶体管的电路仿真有重大意义。