高介电常数介质相关论文
随着5G、消费类电子、新能源汽车、智能电网等领域的蓬勃发展,对于功率器件的需求日益增加,氮化镓（GaN）功率器件凭借高击穿电压、高......
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在无线通信系统中,滤波器起到信号选择的作用,在各种杂波干扰的环境中是必不可少的,研究高性能的滤波器对于微波射频技术的发展富......
半导体集成度的提高要求微电子器件特征尺寸不断缩小，传统的半导体沟道材料和介质绝缘材料面临物理极限。另外，随着云计算、大数据、......
随着微电子技术的不断进步，金属-氧化物-半导体场效应晶体管的尺寸按照“摩尔定律”不断地减小。晶体管尺寸的减小成就了超大规模集......
高迁移率InGaAs沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)因其高驱动电流和低静态功耗等特性，在数字电路和射频电路应用方面具有巨......
采用气相沉积聚合法制备了聚酰亚胺(PI)薄膜及PI与金属颗粒(Cr)复合(PI/Cr)薄膜,所制备PI薄膜表面平整,随着金属颗粒体积百分数增......
为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,Hf......
通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层......
为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品......
本文应用高介电常数介质加载法设计了一款工作于2.8GHz~3.0GHz频带范围的小型化双臂螺旋天线,天线尺寸为20mm×68mm,直径约为0.19/......
功率器件是电能转换中不可或缺的部分，其性能直接影响到能量转换的效率。虽然目前便携式电子产品的功能日渐强大，但越来越短的使用时......
薄膜晶体管(TFT)作为平板液晶显示器中的核心元件,在提高液晶显示器的显示性能及拓宽显示应用领域上具有举足轻重的地位。传统的非......
从19世纪80年代以来,随着互补金属氧化物半导体集成电路技术的发展,微电子行业的发展也取得了巨大的成功。随着摩尔定律的发展,金......
射频识别(RFID)技术是利用无线射频方式进行非接触双向通信,以达到识别目的,并交换数据的自动识别技术。在RFID实际的应用中,有相......
