VO2是一种相变型金属氧化物,随温度的升高,在相变温度（Tc=68℃）发生从低温单斜结构向高温四方金红石结构的转变,同时,伴随着电阻率和红外光透过率的突变。这一特有的性质使VO₂在众多领域具有好的应用前景。从上世纪八十年代开始的对VO₂的掺杂研究表明:掺杂能明显改变VO₂薄膜的相变温度,进而影响其光电性能。因为VO₂的应用中绝大多数都要求其相变温度接近室温,所以是否可以通过掺杂手段使其相变温度降至室温附近,并使掺杂薄膜的性能发生有利于应用要求的相应变化是近来VO₂薄膜掺杂改性的研究主题。针对VO₂薄膜的研究发展动向和实践的需要,本论文主要在掺入不同价态的过渡金属杂质(Zr4+以及Cr³⁺对VO₂薄膜性能产生的影响等方面进行了基础研究。具体而言,本论文从事的主要工作如下:（1）本文首先利用无机溶胶-凝胶法制备了含有4价锆的VO₂薄膜,通过改变掺杂浓度,测定了在不同掺杂浓度下VO₂薄膜的电阻-温度关系曲线。在此基础上,本文进一步探讨了掺杂浓度与VO₂薄膜相变温度、电阻突变数量级以及热滞宽度的关系。实验结果表明:随Zr含量的增加,VO₂薄膜的半导体-金属转变温度和电阻突变数量级呈线性下降,同时,随掺杂量的增加,VO₂薄膜的热滞宽度的变化规律是先减小后增大。（2）本文以掺锆为例,探讨了不同的真空退火温度对VO₂薄膜的相变温度、电阻突变数量级以及热滞宽度有何影响。通过对比不同退火温度下的测试结果可知:经450℃退火后的掺杂VO₂薄膜与其它退火温度所得的VO₂薄膜相比,具有较低的相变温度以及较为明显的电阻突变数量级。因此,在350～500℃之间,VO₂薄膜的最佳退火温度为450℃。（3）最后,本文采用无机溶胶-凝胶法制备了含有3价铬的VO₂薄膜,研究了其掺杂量与电阻突变特性的关系。经测试发现,在开始阶段,随Cr³⁺浓度地增加,VO₂薄膜的相变温度降低,当Cr³⁺浓度达到一定值之后,其相变温度随浓度地升高而迅速上升。同时,VO₂薄膜的电阻突变量随Cr³⁺浓度地增加而减小。而热滞宽度的变化规律是先增大后减小。