射频识别(Radio Frequency Identification,RFID)产生于上世纪80年代而后迅速发展起来的一种无线自动识别技术,它利用无线射频信号去识别某一物品并对其进行读写操作,该过程既不需要人工参与也不需要与物品有机械或者光学接触。随着集成电路产业技术的发展,低频和高频RFID技术已经应用于我们生活的方方面面,而超高频RFID技术正处于迅速发展阶段。首个超高频RFID国家标准《信息技术射频识别800/900MHz空中接口协议》于2014年5月1日开始实施,从此国内一些知名的企业纷纷开始研发相应的产品。本文主要内容是基于该国家标准协议的数字集成电路后端设计,该设计是实现芯片成功制造所必不可少的环节。本文首先分析了提出国标UHF RFID协议的背景及意义,并对该协议的主要内容作了简单介绍。然后详细介绍了基于Synopsys公司IC Compiler工具的数字集成电路后端设计的过程,其一般包括:设计数据准备、设计库建立、时序约束设置、布图规划、布局、时钟树综合、布线、可制造性设计等。最后,分别使用Synopsys公司的Prime Time、Formality和VCS工具对布局布线后设计进行了静态时序分析、形式验证和后仿真;此外,还使用Mentor Graphics公司的Calibre工具对国标UHF RFID全芯片版图进行了DRC和LVS验证。验证结果表明数字版图通过了静态时序分析、形式验证和后仿真,国标UHF RFID全芯片版图也通过了DRC和LVS验证,因此可以将全芯片版图的GDSII格式文件提交给SMIC工艺厂进行生产。本次流片采用的是SMIC 0.18μm的2P4M EEPROM工艺,该工艺是现在最先进的EEPROM工艺之一。