二维材料因为其独特的能带结构,优异的机械性能近年来得到广泛的研究。作为二维金属硫族化合物的重要成员,二维（2D）IV族金属硫族化合物（GIVMCs）因为大的带隙,绿色环保,成本更低,新颖的物理性质和多样的层状晶体结构等特点引起了广泛的关注。已经有很多关于基于它们的电子和光电子器件的报道,一些性能参数已经超过了目前研究热门的一些二维材料,显示出巨大的发展潜力。但是,二维二硫化锡（Sn S₂）的生长与研究和研究成熟的过渡金属硫族化合物（TMDC_S）相比仍然是巨大的挑战,迄今为止,关于大尺寸和单层Sn S₂的生长的报道很少。以下是本文的主要工作:（1）首次通过氯化钠（Na Cl）辅助化学气相沉积法（CVD）在硅/二氧化硅（Si O₂/Si）衬底上成功合成了单层Sn S₂晶体。对样品分别进行了光学显微镜,拉曼光谱,X射线光电子能谱（XPS）,原子力显微镜（AFM）和能量色散X射线光谱（EDX）的表征来研究二维Sn S₂纳米片的形貌,厚度和晶体结构。结果表明合成制备出了单层Sn S₂晶体,制备的最大的单层Sn S₂晶体的边缘长达80μm。还讨论了Na Cl在生长过程中对生成物蒸汽压和成核率的影响。（2）用生长在硅片上的十层左右的Sn S₂作为沟道材料,镀上电极,制备了背栅结构的光电探测器,测试并绘制了在不同光功率下的输出特性曲线、转移特性曲线和响应曲线,在波长为460nm,功率密度为0.008m W/cm²的光照下,栅极和源漏电压都为50V时,光响应度为3.5×10⁵A/W,外量子效率为9.4×10⁵%,一些性能参数甚至超过了传统的TMDC_S。图39幅,表3个,参考文献69篇。