【摘 要】
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本论文主要讨论2°GaAs衬底如何生长高质量GaP外延层。研究了GaP在GaAs衬底上的MOCVD生长和性质表征,主要包括GaP作为电流扩展层存在的问题、GaP生长温度和高温高速等层的生
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本论文主要讨论2°GaAs衬底如何生长高质量GaP外延层。研究了GaP在GaAs衬底上的MOCVD生长和性质表征,主要包括GaP作为电流扩展层存在的问题、GaP生长温度和高温高速等层的生长速率对GaP薄膜的表面形貌、生长模式和晶体质量的影响,GaP的光电性质以及与结构质量的关系。应用XRD测试摇摆曲线的半高宽,使用高倍显微镜观看晶体表面质量。并初步确定了GaAs上GaP在高温的情况下的生长模式。最终我们得到一定范围内生长温度越高,生长速率越慢,GaP表面质量越好的结论。通过细致分析GaP的XRD摇摆曲线半高宽和晶体表面质量,优化GaP外延层生长,为生长高质量的GaP外延层提供了依据。为今后生产亮度更高、质量更好、性能更优的LED打下坚实的基础。
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