立方氮化硼（c-BN）单晶材料，是一种人工合成的晶体。c-BN晶体具有高硬度、宽禁带以及热导率较高等性质，而且理化性质也比较稳定，适宜作为工业材料而深入研究。近年来，随着体单晶生长工艺的不断完善，c-BN被公认为是制作高温、紫外光电器件的优良材料。因此，本文着重于立方氮化硼肖特基二极管的制作研究。探讨了多种金属/立方氮化硼（c-BN）的接触特性，并且，生产设计出了具备整流特性的c-BN器件。本文通过粗Cu探针/c-BN、细Cu探针/c-BN、Ag探针/c-BN机械接触以及Ag/c-BN冶金接触进行了实验研究。结果表明Ag/c-BN冶金结具有欧姆接触特性，细Cu探针/c-BN接触具有肖特基势垒的接触特性且在三种金属探针中性能最佳。未掺杂的与掺杂Si的c-BN整流器件，开启电压分别为4.6V和4V；在-24V和23.5V时，反向电流均小于10-6A，即处于截止状态；在10V时，未掺杂的样品与扩散后的样品整流比分别为123和376。实验结果中c-BN器件的I-V特性得正向电流与电压呈现出二次函数关系，而传统的二极管的I-V特性在正向上则应该呈现指数关系。因此，本文建立了以空间电荷限制电流理论（SCLC）作用为主要作用的器件理论模型，并提出了样品器件的等效电路图。本文相继开展了整流器件的温度特性以及开关特性的测试工作。其中，在温度测试中整流器件可以工作在500K以上，由5V电压下电流-温度依赖关系图可知，陷阱中心热激活能△E为0.31eV。在开关特性实验中，可以观察到器件对方波的响应函数与信号的峰峰值有联系，并运用SCLC理论模型对对应数据进行了详细的分析整理。在对器件的后续温度特性测试中，可知扩散后的器件在700K的温度下仍然可以正常工作且呈整流特性。本文在最后对研究工作进行了概括总结，并提出了进一步的研究展望。