【摘 要】
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根据自旋统计理论,单线态发光材料的电致发光极限效率为25﹪,而采用高发光效率 的三线态材料,则有望突破这一效率极限,从而使器件的效率至少提高三倍.基于此目的,我们选用了几
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根据自旋统计理论,单线态发光材料的电致发光极限效率为25﹪,而采用高发光效率 的三线态材料,则有望突破这一效率极限,从而使器件的效率至少提高三倍.基于此目的,我们选用了几种具有高效率的三线态发光的过渡金属配合物,Cu<,4>(C≡CCph)<,4>L<,2>,Au<,2>(dppm)<,2>(SO<,3>F<,3>)<,2>和Au<,2>(dppm)CL<,2>.通过对这类三线态材料电致 发光性质研究,得到了一些结论和启示.首先我们研究了Cu<,4>(C≡CCph)<,4>L<,2>和Au<,2>(dppm)<,2>(SO<,3>F<,3>)<,2>光物性质以及掺杂PVK体系的发光性质.通过掺杂PVK体系 的EL谱和PL谱的对比分析,证明了电致发光过程中三线态激子形成效率是致发光过程中的三倍,与自旋统计理论得出的结果一致.
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