发射前端是收发系统中的重要部分,是实现高性能通信系统的关键。开发体积小,重量轻和性能稳定的发射前端一直是业界研究的热点和难点。本文基于低温共烧陶瓷技术,采用多层基板布线,高密度连线和无源内埋等方式,对S波段发射前端组件的小型化技术进行研究。综上所述,本设计借助LTCC技术,研制小型化的S波段发射前端组件。首先,采用多层基板布线将控制信号和射频信号分离的方式,对发射前端的各部分进行设计并对其电磁兼容结构进行布局和分析,确定发射前端设计的整体方案。其次,通过电容电感建模,在HFSS软件下仿真得到无源内埋器件的实体结构。并制作内埋滤波器,抑制混频后的镜像频率。同时,对发射前端的各有源部分频率源,放大器,混频等各个部分进行小型化设计,将匹配电路内埋置基板各层。使用ANSYS有限元分析软件对电路基板的温度状况进行仿真,针对散热问题对发射组件三维电路的设计进行优化。最后,结合LTCC工艺容差分析,对发射前端组件加工中产生的容差对实际电路造成的影响进行分析,从中优化电路结构,加工得到发射组件实物并加以测试。得到的小型化发射前端的尺寸为30mm×20mm×2mm,重量约50g(不包括腔体),体积和重量小于一般的S波段混合集成发射前端。测试结果得到输出功率为26dBm,三阶交调抑制17dBc,带内输入输出回波损耗大于15dB。