Ⅲ族氮化物三元合金Al<,x>Ga<,1-x>N及四元合金Al<,x>In<,y>Ga<,1-x-y>N已经广泛应用于高速电子器件及光学发光器件中，如发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)中，但是对其结构性质的研究却很不充分。本论文利用卢瑟福背散射及沟道技术(RBS/C)并结合高分辨X射线衍射技术(HRXRD)对Al<,c>Ga<,1-x>N/GaN、Al<,x>In<,y>Ga<,1-x-y>N/GaN异质结构、Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN多量子阱结构进行详细的结构性质的分析，具体工作如下： 1．应用RBS/C结合HRXRD对于有AlN插入层和无AlN插入层的Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN异质结构的Al含量、厚度的测定及其应变的研究。 2．利用RBS/C结合HRXRD模拟计算了Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN多量子阱的Al含量，多量子阱的一个周期的平均厚度。利用HRXRD的0-20扫描，研究了多量子阱的应变，计算了一个阱和垒周期的平均厚度及量子阱中水平方向，垂直方向的应变。 3．对于不同组分的AlInGaN/GaN异质结进行了应变测量，发现不同的Al、In含量对AlInGaN外延层的应变有着较大影响。结合Vegard定理，对这些现象给出了理论上的解释。用RBS/C测量了不同生长速率下AlInGaN外延层的结晶品质；结合AFM和PL谱，发现生长速率对其结构及光学特性有较大的影响。