在钻井、汽车和飞机的发动机中,对高温器件有大量的需求,特别是在200~600oC间进行压力监控的压力传感器。由于在高温下pn结漏电流增大、金属扩散会引起金属/半导体接触的退化及引线键合失效等,传统硅(Si)压力传感器很难在高温环境下稳定工作。碳化硅(SiC)是高温半导体材料,其出色的电学特性(宽禁带、高击穿场强)使得它成为恶劣环境下电子器件的首选材料。SiC在高温下具有非常出色的热学、力学性能,压阻系数也较高,这些优势使得4H-SiC非常适合制造恶劣环境下工作的压力传感器。本文重点开展4H-SiC压力传感器芯片关键工艺技术研究,分别通过对敏感膜片和压阻条、接触窗口、欧姆接触层和引线层制备关键工艺的实验比较研究,优化了工艺流程,确立了各工序的工艺参数。通过工艺整合和掩膜版设计,确立了芯片制造的工艺流程,制备出4H-SiC压力传感器芯片。设计芯片封装用的玻璃环,采用表压封装,室温下测试得到量程分别为1MPa、2 MPa、3 MPa时,压力传感器对应的灵敏度分别为2?V/V/kPa、2.5?V/V/kPa、4.7?V/V/kPa。