本文对应用于DRAM电容介质的钛酸锶钡(BST)薄膜材料的制备与性能进行了研究。采用溶胶—凝胶方法以廉价的Ba和Sr的醋酸盐为前躯体成功制备了均一BST薄膜，并对其结构与性能进行了表征。 在热解、晶化过程中升温速率、保温时间、降温速率对薄膜的结构有较大的影响。探索了工艺对薄膜表面形貌的影响，最佳烧结工艺条件为：升温速率0.5℃/min，降温速率1℃/min。在BST薄膜与基质之间制备了TiO2缓冲层，它有效解决了电极与基质剥离的问题。利用SEM、TG、DTA，对烧结制度、晶化温度进行了分析，得到最佳晶化温度为750℃，保温时间60min。研究了薄膜厚度对其电学性能的影响，采用溶胶—凝胶方法制备薄膜的厚度为450nm时，Pt/BST/Pt薄膜电容器在1KHz下其介电常数为70.2，介电损耗0.09。 研究了微量元素铋、钇和铌对BST薄膜(掺量分别为：0.7～3mol﹪和0.39～4.12mol﹪)的结构与介电性能的影响规律。测试了薄膜的介电性能与微量元素含量的关系。结果表明，微量元素的掺加改善了薄膜的介电损耗，而Y元素同时也改善了薄膜的介电常数。采用SEM，XRD,TEM等测试手段分析了薄膜的表面形貌、薄膜厚度、晶相结构、颗粒大小等，对其变化现象进行了初步的分析和讨论。结果表明，微量元素的掺加细化了薄膜的颗粒，没有改变薄膜的晶相结构。