IV–VI族二维半导体纳米材料由于其独特的形状和尺寸依赖性及其特有的化学性质,吸引了广泛的的关注。迄今为止,IV–VI族半导体的尺寸和形貌控制,自组装合成及其相关应用已经做了大量的研究。IV–VI族半导体的二维结构相对于其体材料而言有特殊的优越性,使其在不同领域都有重要的应用,如太阳能电池、锂离子电池、气体传感、光电探测器、光电化学传感等方面以及光催化降解污染物等领域。本论文通过设计合适的化学反应路线实现 IV–VI族二维半导体纳米材料的可控合成,并研究了所制备的一些 IV–VI族半导体化合物的形成机理及其电化学性能。研究的主要内容和结果如下:　　1、以SeO2, SnCl2·2H2O为起始原料,用 poly(vinyl pyrrolidone)(PVP)做表面活性剂,苯甲醇(benzyl alcohol)做溶剂在高压反应釜中溶剂热法中制备出 SnSe2纳米片和纳米盘,并进一步研究了SnSe2纳米片的形成机理, SnSe2纳米片和纳米盘光电化学响应和锂离子电池充放电性能表明SnSe2纳米片的光电化学响应较SnSe2纳米盘具有较大的提高,且在锂离子电池应用方面具有较高的容量。　　2、以 SeO2, SnCl2·2H2O为起始原料,用poly(vinyl pyrrolidone)(PVP)做表面活性剂,苯甲醇(benzyl alcohol)做溶剂,180 oC条件下在三颈烧瓶中,泠凝回流加热制备出SnSe2纳米花。研究了SnSe2纳米花在不同光强条件下的光电化学响应,光强越强光响应越明显。　　3、以二苯基二硒(C12H10Se2), SnCl2·2H2O和十二硫醇(C12H26S)为起始原料,在油酸,油胺和十八烯体系中制备出 SnS(1-x)Sex二维纳米材料。实验和计算都表明通过调控二苯基二硒的加入量可以使SnS(1-x)Sex纳米材料的带隙可控,研究表明 SnS(1-x)Sex对可见光具有较好的吸收,在光伏材料上具有潜在的应用。