GaN基半导体材料具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐腐蚀、抗辐射等突出优点，在制作高温、高频、大功率电子器件方面有着得天独厚的优势。常规GaN肖特基二极管（SBD）具有高击穿电压特性，而在AlGaN/GaN异质结上采用不同势垒高度金属形成复合肖特基接触的场效应肖特基二极管（FESBD）则兼具高反向击穿电压和低正向导通电压，非常适合用作保护感性负载电路的续流二极管，本文针对FESBD进行了器件性能的仿真和优化分析。通过计算基于GaN材料、AlGaN材料和AlGaN/GaN异质结材料的常规SBD的I-V特性，成功实现了反向击穿特性的仿真，获得了器件击穿电压与材料背景掺杂浓度等参数的依赖关系，确立了合理的模型和参数值范围。基于AlGaN/GaN异质结SBD的肖特基势垒高度对器件的影响机理分析，对不同金属形成复合肖特基接触的SBD研究了低势垒包围高势垒和高势垒包围低势垒两种复合方式对器件性能的影响。发现由于器件中最大电场出现在阳极靠近阴极的边缘，两种复合方式得到的器件性能截然不同，前者性能类似低肖特基势垒SBD，后者则形成高反向击穿电压和低正向导通电压的FESBD器件性能：位于阳极边缘的高势垒保证了高击穿电压（达到同样高势垒AlGaN/GaN SBD的击穿电压），位于阳极中部的低势垒导致大的正向电流和低导通电压。改变FESBD中不同肖特基接触的面积比研究其对FESBD的性能影响发现，低势垒接触面积的增大会增大正反向电流，但反向击穿电压大小在相当大的高/低势垒面积比（5:1～1:9）的范围内保持不变。这对器件的结构优化和减少高势垒贵金属的工艺成本具有积极的指导意义。