本论文主要论述了自行设计开发的一套计算机控制的半导体激光器脉冲测量表征系统，以及在不同的脉冲驱动条件下应用本系统对InAsP/InGaAsP脊波导多量子阱、InGaAsSb/AlGaAsSb脊波导多量子阱、InAlAs/InGaAs/InP中红外量子级联等三种结构激光器的I-P、I-V及光谱特性进行的研究工作；通过对实验结果的分析，我们发展了分别基于脉冲I-P、I-V及光谱测量的三种半导体激光器热特性表征方法，并得到了这些激光器的热阻等热特性参数，现将有关研究结果总结如下： 我们将脉冲发生器、数字示波器、傅里叶光谱仪、氦循环制冷系统、热电制冷系统、探针测试台、电流探头、光功率探测器等部件由计算机进行控制，组成了一套半导体激光器脉冲测量表征系统，该系统具有较宽的测量波段范围和较强的驱动脉冲脉宽调节能力，可满足多种激光器的脉冲测试要求。 结合系统硬件，我们利用GPIB技术自行开发了一套用于控制该系统的测量与数据处理的控制软件。该软件具有多个测量控制界面，可方便地完成硬件设置、测量过程控制、数据显示与存储等多个功能。实验表明，该软件具有较好的可操作性、可靠性与安全性。 利用所搭建的半导体脉冲测量表征系统，我们对1.3μm InAsP/InGaAsP脊波导多量子阱、2.0μm InGaAsSb/AlGaAsSb脊波导多量子阱、8μm InAlAs/InGaAs/InP中红外量子级联等三种结构激光器的I-P、I-V及光谱特性进行了研究，并得到了适合三种激光器测量表征的测量控制参数与脉冲驱动条件。 在此基础上我们发展了基于脉冲I-P、I-V以及光谱测量的三种半导体激光器热特性表征方法，实验结果表明：基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊波导多量子阱激光器的激射光谱与I-V特性，8μm InAlAs/InGaAs/InP中红外量子级联激光器光谱特性，2.0μm InGaAsSb/AlGaAsSb脊波导多量子阱的I-P特性，可以得到三种激光器的热阻等热特性参数，文中报导了具体测量结果并对其进行了讨论。