随着传统化石能源的日益消耗，能源问题越来越受到人们的重视，太阳能作为一种清洁无污染的绿色能源，被认为是缓解能源危机的有效途径之一，而低成本、高效率的太阳能光伏电池逐渐成为人们的研究热点。薄膜太阳能电池技术具有原材料消耗低、可大面积制备等优点可大大降低太阳能电池的制备成本，以CIS为代表的薄膜太阳能电池效率已超过了20％。CuInS2是一种非常有潜力的薄膜电池材料，其禁带宽度(1.5eV)与太阳能光谱相匹配，并且具有较高的光吸收系数，但是目前制备CIS薄膜的技术多为真空方法，工艺复杂，制造成本相对较高，在一定程度上限制它的推广应用。而新兴的纳米技术与薄膜太阳能电池相结合，通过制备太阳能电池纳米粒子，再采用喷涂、刮刀、旋涂、丝网印刷、喷墨打印等非真空技术制备薄膜太阳能电池，大大降低了其制造成本。　　本文主要探讨了CuInS2纳米粒子的合成，并探索了应用非真空技术制备CIS薄膜及太阳能电池的方法，主要研究内容包括:首先合成了CuInS2纳米粒子，实验通过溶剂热法，调控溶剂的种类、反应温度、反应时间以及反应物的组成，分别制备出了具有纤锌矿和闪锌矿结构的CuInS2纳米粒子;然后将合成的纳米粒子形成墨水或涂料，分别通过喷涂及刮刀等方法制备成CIS薄膜，并探讨了退火、硫化及硒化工艺对薄膜的影响;最后，本文还针对CIS薄膜太阳能电池的基本结构(Mo/CIS/CdS/i-ZnO/ITO/Ni∶Al)，初步研究了缓冲层CdS、窗口层i-ZnO/ITO的制备工艺，实验中采用化学水浴沉积沉积的方法制备出均匀致密的CdS薄膜，研究了不同反应温度、反应时间对CdS薄膜晶体结构及光学性质的影响;通过磁控溅射技术制备了i-ZnO及ITO薄膜，研究了不同溅射功率、溅射气压对ITO薄膜透光率及电导率的影响，为CIS薄膜太阳能电池的制备奠定了基础。