太阳能光伏电池是众多缓解能源危机和环境问题的有效途径之一。多元金属硫化物光伏材料薄膜太阳能电池具有转换效率高、稳定性好等优良性质,在基础研究和实际应用领域扮演着越来越重要的角色,具有良好的发展前景。三元半导体材料CuSbS2,因其光吸收系数高,在可见光范围内的光吸收系数大于104cm-1,具有理想的带隙,且所含元素无毒,组成元素储量丰富等特性,在太阳能电池器件中,非常适合作为吸收层的材料,引起国内外广泛的关注。到目前为止,有不少的国内外的团队成功合成了CuSbS2,用CuSbS2做成了器件,在太阳能电池方面取得了一定的进展,但是,他们大多数制备的是大尺寸的纳米棒和纳米片,制备小尺寸的CuSbS2纳米晶并研究其电学性能的文献报道不是很多。在本文中,我们用热注入法制备了尺寸为15nm的CuSbS2纳米晶;根据吸收光谱计算出其禁带宽度为1.26 eV。之后改变反应时间得到不同尺寸的纳米晶体,通过I-V测试研究不同反应时间对其电学性质的影响。然后我们用不同的反应物,通过调节反应条件,用热注入法制备了CuSbS2纳米棒和CuSbS2纳米片,通过I-V测试研究不同的反应物对其电学性质的影响。在去除薄膜配体时使用热处理和化学处理,发现CuSbS2薄膜用无水乙二胺溶液去除配体后在100mW cm-2光源强度,0.5V的偏压条件下测得的光电流为253μA,远大于薄膜在350oC退火后测得的光电流13μA,表明化学处理比热处理更适合去除配体。