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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号模型研究

来源 :山东大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：banlangen

【摘 要】

：

20世纪50年代以来,硅一直都是半导体领域中最重要的材料,而随着微电子技术的不断发展,硅基功率器件性能接近其理论极限,改善速度已经放缓。为了满足半导体器件在更高频率、更大功率条件下工作,以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料登上产业舞台,由于GaN材料有很多优点,已被公认为最有希望用于下一代功率器件的材料。特别是随着5G时代的到来,GaN基器件会引起更多人的关注,AlGaN/GaN高电子迁移率

【作 者】

：

王延庆 

【出 处】

：

山东大学

【发表日期】

：

2019年09期

【关键词】

：

AlGaN/GaN HEMT 器件 大信号模型 小信号等效电路 SDD模型 

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