从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离......

20世纪50年代以来,硅一直都是半导体领域中最重要的材料,而随着微电子技术的不断发展,硅基功率器件性能接近其理论极限,改善速度已......

本文利用ADS(advanced design system)软件建立了太赫兹肖特基二极管的SDD(symbolically-defined device)模型。该模型基于肖特基......