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铁电材料PZT由于具备优良的铁电性、热释电性、压电性和光学特性等,受到人们的广泛关注。第三代宽禁带半导体材料GaN具有击穿场强大、热导率高、载流子迁移率高、抗辐射能力强等优点。将铁电材料PZT与半导体材料GaN通过固态薄膜的形式集成,并利用这种集成薄膜的一体化特性,可以实现电子信息系统的小型化和模块化,增强系统功能,提高集成度。但是,PZT类铁电材料为立方钙钛矿结构,GaN为六方纤锌矿结构,二者晶格失配大,生长工艺不兼容,要在GaN上实现PZT薄膜外延生长面临着一系列的技术问题,因此寻找一种可靠方法