VO₂是一种典型的热致相变化合物。随温度的升高，在相变温度T=68℃附近VO₂发生从高温金属相到低温半导体相的转变，而且它的物理性能也随之发生突变，如电阻（率）发生4～5个数量级的突变，同时还伴随着磁化率、光学折射率、透射率和反射率的突变，具有红外屏蔽功能。重要的是可以通过掺杂来改变它的相变温度。因此，VO₂具有较大的应用潜力，如建筑物的太阳能温控装置、光电开关材料、热敏电阻材料、可擦除光存储材料、激光致盲武器防护装置、光色材料、亚微米波辐射的调制器等。目前研究较多的是VO₂薄膜材料，其应用受到一定程度的限制。而VO₂粉体材料，则具有更广阔的应用领域和前景。最近已发现纳米VO₂具有更优异的物理性能。因此，选择纳米VO₂粉体材料的研究具有十分重要的理论和实际意义。 本论文结合攀枝花钒资源丰富的特点，首次通过热分解法制备出了单元素掺杂和复合掺杂的纳米VO₂粉体，研究了不同工艺及实验条下，VO₂的电学和光学性能，采用热分析技术、XRD、TEM、XPS等分析手段对前驱体的热分解过程、纳米VO₂的结构、形貌以及掺杂后电子能级结构的变化进行了较系统的分析。取得了有价值的结果。 ①．首次以工业V₂O₅粉末为原料经草酸还原后，制得VO（C₂O₄）₂·H₂O及其相应的掺杂前驱体。该方法简单、重复性好。 ②．热分解后获得的纳米VO₂，粒径为20～30nm，颗粒分散均匀，组分单一。其相变温度为69.5℃，电阻突变量达2个数量级。在近红外波段对光有较明显的屏蔽作用。并且具有良好的热致相变稳定性。 ③．首次制备出了掺钼及钼—氟复合掺杂的纳米VO₂粉体，相变温度最低为40℃。钼—氟复合掺杂对纳米粉体的相变温度有明显的降低。