因为纳米材料所特有的一系列特殊效应,例如:量子尺寸效应和小尺寸效应等,所以纳米材料的化学性质及物理性质依赖其形貌和尺寸。SnO₂是一种红金石结构的n型氧化物半导体,其禁带宽度约为3.6 eV。由于SnO₂纳米线、纳米带等一维或二维纳米结构尺寸已经达到纳米量级,且由于纳米线具有较高的比表面积,和优良的化学及物理性质,在透明电极、太阳能电池、薄膜电阻、气体敏感器方面应用非常广泛。因此探究制备一维SnO₂纳米材料的多种形貌及对SnO₂纳米材料的微观结构尺寸的调控,是当今纳米材料的研究热点。传统使用金膜催化的方法不能够制备出直径小且尺寸均一的纳米线。为了得到理想尺寸的纳米线,我们使用胶束金点进行催化代替金膜,使用化学气相沉积法（CVD）制备了SnO₂纳米线并对SnO₂纳米线及SnO₂的生长机制进行分析探讨。并用此方法制备了锑（Sb）掺杂和铟（In）掺杂的SnO₂纳米材料,利用XRD、SEM、TEM等工具对得到的样品进行了结构和形貌的表征。并进一步探究了不同制备条件下对SnO₂纳米线形貌及光学性质的影响,以及不同掺杂比例对SnO₂形貌及光学性质的影响。本文使用常温光致发光（PL）以及拉曼（Raman）光谱对SnO₂性能进行探究,以下为实验结果:（1）利用化学气相沉积法,使用胶束金点进行催化制备出SnO₂纳米材料,即一维SnO₂纳米线,所得纳米线直径较小。探究了纳米线的生长机制。对比不同尺寸金颗粒催化得到的纳米线,室温光致发光（PL）谱显示均在624nm处得到了一个很宽的发光峰。对比不同反应温度发现随着温度升高PL光谱发生红移。拉曼（Raman）光谱显示出位于475cm^-1,633cm^-1与775cm^-1位置上的三个特征峰,同时我们的样品出现了位于695cm^-1的新的拉曼峰。（2）采用化学气相沉积法制备了不同掺杂比例的铟（In）掺杂SnO₂（ITO）纳米材料。光致发光（PL）光谱显示掺杂从2%到达5%时,发光峰出现红移,掺杂比例达到8%时,发光峰强度明显增强,并观察到位于主发光峰两侧出现了两个不对称的发光峰。拉曼（Raman）光谱显示掺杂比例达到5%时475cm^-1位置上的峰逐渐消失。（3）我们采用化学气相沉积法制备掺杂比例分别为2%,5%,8%的锑（Sb）掺杂SnO₂（ATO）材料。光致发光（PL）光谱显示,掺杂比例为2%时发光峰强度明显高于掺杂比例为5%和8%的发光峰,且掺杂比例为2%时,观察到位于主发光峰两侧出现了两个不对称的发光峰。拉曼（Raman）光谱显示掺杂比例达到5%时475cm^-1位置上的峰逐渐消失,掺杂比例达到8%时观察到775cm^-1位置上的峰逐渐消失,并且当掺杂比为8%时,在725cm^-1处出现了一个非活性拉曼峰。