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我们利用经紫外臭氧表面修饰(2Ag（s）+O3（g）→Ag2O（s）+O2（g）)的银作为阳极（以降低空穴的注入势垒,增加注入效率）,以QAD:Alq作为发光层,以半透明的Al/Ag作为阴极,采用我们提出的有机物掩模生长的新工艺,解决了大面积生长有机物时漏电流大的问题,首次（在国内）在硅衬底上制备出双异质结结构的高亮度顶发射有机发光器件,在4V下的亮度和效率分别为328cd/m2和4.5cd/A。我们对顶发射器件中存在的微腔现象做了具体的理论分析,并计算得到了具有微腔结构的器件的光谱。计算光谱的峰值为520nm,半峰宽为48nm,实际的光谱峰值为512nm,半峰宽为44nm.计算结果和实际结果相对吻合。计算光谱和实际光谱有差别的原因是我们为了方便计算,假设激子都在距离界面一个扩散长度的地方复合发光.而实际上由于扩散长度是一个平均值所以每个激子复合发光的位置都是不一样的。在顶发射器件的半透明阴极上生长增透膜,提高阴极的透过率是提高顶发射器件性能的一个有效的途径。因此,我们运用薄膜特征矩阵的方法,详细讨论了Alq/Ag（20nm）/Alq（dnm）/air这个膜系的透射率的计算方法,更为准确的测量了相关材料的光学常数,进而利用计算机计算得到了此膜系在不同Alq厚度下的透射率曲线。计算结果显示:当Alq的厚度为45nm时,膜系在波长为530nm时,透射率最大:65%（相同的波长下,Alq的厚度为0的时候,透射率只为37%）。该计算结果,对通过提高阴极的透过率来优化器件性能起着重要的指导作用。我们在硅基顶发射器件制备的基础上,采用光刻胶制作阴极隔离柱的方法,率先在国内制备了像素为32×24,分辨率为6个像素/毫米的硅基顶发射无源单色显示屏,并且设计了驱动电路。