新型聚噻吩和聚噻唑衍生物的合成与表征

来源 :中国科学院化学研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:vangor
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本论文针对影响共轭聚合物光伏性能的三个主要因素:吸收光谱、空穴迁移率和能级匹配,以发展新型主链结构、侧链取代和共聚的方法,设计并合成了一系列的新型聚噻吩和聚噻唑衍生物及其共聚物,主要包括:   1.以降低共轭支链的空间位阻、材料的规整性作为提高支链共轭聚合物载流子传输性能的出发点,采用自偶联的Stille法成功制备了规整的己烯基取代聚噻吩(P3HET),空穴迁移率达到6.7x10-3 cm2/Vs(SCLC法),实现了空穴迁移率一个数量级的提高。   2.以具有优良电子传输性能的噻唑为核,合成了酯基取代的聚噻唑乙烯(P4TzV)。该聚合物的HOMO能级是-5.56 eV,LUMO能级是-3.49 eV,是一种潜在的受体材料。   3.主链中引入酯基噻唑单元来调节P3HT的电子能级,有效降低了其HOMO和LUMO能级,显示了酯基噻唑单元在能级调节上的优势。但是由于酯基噻唑单元存在一定程度的扭曲,分子的吸收光谱出现了一定程度的蓝移。   4.采用噻吩乙烯基取代的支链共轭聚噻吩与酯基噻唑单元共聚的方法,调节材料的能级和吸收光谱。与未引入噻唑单元前相比,聚合物的HOMO和LUMO能级都有所降低,分别降低到-5.25 eV和-3.11 eV。光谱中350~450 nm范围的吸收大大增强。   5.为了更好的调节聚合物材料在可见光区的吸收,拓展了支链共轭聚合物的体系,作者同时引入给受相互作用、共轭支链取代的设计思想,发展了一种二维给受的新型支链共轭聚噻唑衍生物P1和P2。两者的吸收光谱和能级均得到了有效地调制。
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