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该文的工作主要是利用分子束外延技术和扫描隧道显微镜研究了两类低维结构的生长过程及其结构.这两类低维结构是:1)Ⅲ族金属In、Ga,合金Ag/In以及磁性金属Mn在Si(111)-7x7模板衬底上形成的有序全同量子点阵;2)金属In在Si(001)-2xn模板衬底上形成的有序量子线阵列.
低维纳米结构的分子束外延生长和变温扫描隧道显微镜研究
【摘 要】
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该文的工作主要是利用分子束外延技术和扫描隧道显微镜研究了两类低维结构的生长过程及其结构.这两类低维结构是:1)Ⅲ族金属In、Ga,合金Ag/In以及磁性金属Mn在Si(111)-7x7模
【机 构】
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中国科学院物理研究所
【出 处】
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中国科学院物理研究所
【发表日期】
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2001年期
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