纳米材料具有一些不同于体材料的物理特性和化学特性,使纳米材料成为当今时代最有前途的材料。Zn O是II-VI族金属氧化物,是一种宽禁带直接带隙半导体材料,带隙为3.37e V,且相对于其他宽禁带的半导体材料,Zn O具有高的激子结合能,室温下为60me V。Zn O具有n型导电特性,因此Zn O经常被应用在光电领域,Zn O微纳米结构还具有优异的阴极场发射性能和光催化性能。Zn O微纳米结构的制备方法众多,但有些方法对仪器设备的要求较高,且对Zn O微纳米结构生长的可控性不强。本文针对Zn O微纳米结构可控性生长的问题,采用简单的化学水浴法生长Zn O微纳米结构。本文的具体内容如下:(1)采用多容器法在水浴温度不同的条件下研究Zn O微纳米结构生长过程中产物的形貌,及其退火对其形貌和结晶质量的影响。结果显示,水浴温度不同时,其产物的形貌不同;退火后,其产物结晶质量变好。(2)使用不同的锌源和碱源制备Zn O微纳米结构,结果显示,当锌源和碱源不同时,所制备Zn O微纳米结构的形貌不同。采用水浴法制备了Zn O-Cu2O微纳米结构,并研究了Cu2O的量对其光致发光谱的影响。采用水浴法制备了Zn1-xCuxO(x=0、0.05、0.1)、Zn1-xMgxO(x=0、0.05、0.1)、Zn1-xFexO(x=0、0.05、0.1)微纳米结构,且研究了掺杂量对其光致发光谱和拉曼振动峰及其颗粒尺寸的影响。(3)采用种子法和水浴法两步生长Zn O纳米棒,种子由提拉法和滴沾法两种方法制备。通过提拉法成功制备了Zn O纳米棒阵列的微条带,纳米棒的直径约为100-200nm,长度约为300-500nm,且微条带的中间部位纳米棒取向较一致,边缘部位取向较杂乱。采用滴沾法成功制备了簇状Zn O纳米棒、Zn O纳米管及以大纳米棒为基的小Zn O纳米棒,纳米棒的直径约为100nm,PL谱显示只有本征发光峰。