【摘 要】
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为了研究压电薄膜的特性，常常需要测量电场作用下薄膜厚度的变化。因为薄膜的厚度很小，不能施加太高的电压，过高的电压会击穿薄膜，所以一般在电压驱动下其厚度的变化处于(?)的量级。为了检测这么小的形变，必须使用干涉检测的方法。Michelson干涉仪结构简单，最早被用来检测压电薄膜厚度的变化。但是由于这种方法只探测样品的一个表面，无法消除测量中的基底弯曲效应。 所以，设计了一种基于Mach-Zen
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为了研究压电薄膜的特性，常常需要测量电场作用下薄膜厚度的变化。因为薄膜的厚度很小，不能施加太高的电压，过高的电压会击穿薄膜，所以一般在电压驱动下其厚度的变化处于(?)的量级。为了检测这么小的形变，必须使用干涉检测的方法。Michelson干涉仪结构简单，最早被用来检测压电薄膜厚度的变化。但是由于这种方法只探测样品的一个表面，无法消除测量中的基底弯曲效应。 所以，设计了一种基于Mach-Zender结构的双光束探测干涉仪来研究压电薄膜的压电响应。这种方法中，探测激光探测样品
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