铌酸锂作为优良的多功能无机晶体在各方面都受到了广泛的研究,尤其在全息存储方面。在可见光条件下,掺镁、锌、铟铌酸锂晶体显示了很好的抗光损伤性,特别是当掺杂浓度超过所谓的抗光损伤阈值后。但是,这些掺杂的晶体在紫外光辐照下,却表现出了光折变增强效应。对铌酸锂晶体紫外光折变效应的研究,不但有利于增加对铌酸锂晶体微结构,尤其是缺陷结构的认识,还有助于加深对光折变弱光非线性效应及其物理机制的理解。本论文在前人工作的基础上,主要研究了铌酸锂晶体中的紫外光折变效应和光致霍尔效应。本论文的主要内容分为以下几部分： 第一章概述了本论文的研究背景,介绍了光折变效应微观机制以及电荷输运模型,还介绍了铌酸锂晶体的光学性质及其应用。 第二章在实验上研究了掺镁、锌铌酸锂晶体的紫外光致吸收和双色全息存储性能。结果表明,紫外光致吸收的出现与O小极化子的形成有关；在掺杂超过抗光损伤阈值的晶体中实现了非挥发全息存储,还发现在深浅能级上建立的光栅为反相光栅。 第三章分别测量了紫外光致吸收和紫外光折变光栅的暗衰减过程随温度的变化关系,得到了相应的缺陷中心的热激活能：紫外光致吸收中心的热激活能约为0.8 eV,而紫外光折变中心的热激活能约为0.4 eV。根据这些实验结果建立了铌酸锂晶体的缺陷能级模型来描述铌酸锂晶体的紫外光折变效应。 第四章主要研究磁场对铌酸锂晶体中的光生电流的影响,测量了光致霍尔电流随泵浦光强的变化关系,并对光致霍尔效应做了详细的讨论。 第五章首先总结了前面的工作,然后对该方向的研究前景及应用进行了展望。