【摘 要】
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该论文主要对半导体材料锗和硅的输运特性及其能带结构进行了理论研究.整个论文分为两部分.在第一部分中,基于Monte-Carlo方法和晶格中的各种散射机制理论,设计并开发了锗硅
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该论文主要对半导体材料锗和硅的输运特性及其能带结构进行了理论研究.整个论文分为两部分.在第一部分中,基于Monte-Carlo方法和晶格中的各种散射机制理论,设计并开发了锗硅半导体材料输运特性的分析计算程序.在第二部分中,我们研究了规范保持赝势理论和密度函数理论,并在此基础上调试并运行了FHI98PP赝势计算软件,结合FHI98MD能带计算软件包,成功计算出了锗和硅半导体的能带结构.计算结果与文献报道的基本一致.为下一步进行其它理论计算提供赝势数据和开展超晶格材料的能带结构进行计算奠定基础.
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