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本文介绍了CdS、CdSe一维纳米材料的合成、生长机制以及物性表征方面的研究工作，并通过制作单根纳米线场效应管对纳米线进行了测量分析。首次生长、表征，并测量了具有双轴异质结构的Si/CdSe纳米线的PL和Raman谱，并通过纳米探针系统测量获得了此种结构纳米线的电学特性。论文主要包括了以下几个方面内容：
1.CdS纳米线以及多个新颖结构的CdS纳米材料的合成。所制取的CdS纳米线的产量很大，直径分布在60-100nm范围内，且单根线的直径都比较均一，纳米线的长度一般在几十微米，PL谱上可见很强的中心波长在506nm的带边发射峰。还制备出一些比较新颖的CdS纳米结构，例如纳米花，纳米锯齿和弯曲非常大的折线纳米线。
2.CdSe纳米线以及Si/CdSe双轴异质结构纳米线的合成。所制取的CdSe直径分布在60-100nm范围内，且单根线的直径都比较均一，纳米线的长度一般在几十微米。我们还制备了新颖的Si/CdSe双轴异质结构纳米线，并进行了详细表征，使用的仪器包括场发射扫描电子显微镜(SEM)，高分辨透射电子显微镜(HRTEM)，能量色散X射线谱仪(EDX)，荧光光谱仪，拉曼光谱仪。在光致发光谱中可见中心波长在712nm的很强的带边发射峰，Raman谱中有对应于Si和CdSe的Lo模式的尖峰。
3.纳米线的电学特性测量。通过制作单根纳米线场效应管研究了单根CdSe纳米线的电学特性。通过纳米探针系统对Si/CdSe双轴异质结构纳米线、CdSe纳米线、Si亚纳米线的电学特性进行了测量，通过M-S-M理论模型拟合计算后得出了Si亚纳米线和CdSe纳米线的电阻率、载流子浓度和迁移率。Si/CdSe双轴异质结构纳米线的Ⅰ-Ⅴ曲线具有良好的整流特性，经过分析认为这是两个“面对背”的肖特基结串联，并且所得到的双轴Si/CdSe纳米线是p-n异质结。