硅漂移探测器(SDD)是一种广泛应用于X射线探测，实验核物理和天体物理等领域的半导体探测器。在十二五空间探测规划中，国家希望建立大型空间实验室，需要建造5m2X射线望远镜探测阵列，如果采用Si-PIN结构探测器，由于其结电容较大，探测器噪声较高的缺陷，难以达到高信噪比的要求，所以硅漂移探测器以其电容小，能量分辨率高等特点成为大规模X射线探测器阵列的首选。但目前，大量硅漂移探测器都依赖国外进口，成本相对较高，特别是对研制山硅漂移探测器单元组成的5m2大的X射线望远镜阵列，大批量购置就更加困难，针对国内在该领域研究较少的现状，期望通过本文的研究工作，以双面并行工艺为基础，为低成本，高效能地自主研发硅漂移探测器，摆脱硅漂移探测器需要从国外进口的局面进行有益的尝试。 在研制硅漂移探测器之前，通过对PN结单项工艺的优化研究，总结并制定出了一整套针对实验室的优化工艺条件，为研制硅漂移探测器打下了坚实的基础。 在降低硅漂移探测器研制难度、提高探测器制作效率方面，采用了双面并行平面工艺，研制出的探测器在正常工作偏压下的阳极漏电流达到0.28nA，并观察到了明显的信号漂移现象，通过对有源区量子效率的测量，发现在整个入射窗口区域，量子效率均可稳定在60％，这说明器件在整个入射窗口区域内都有很好的信号响应。 另外对阳极漏电流和悬空电位进行了测量，发现阳极漏电流随最外漂移环偏压的增大而增大，而悬空电位只与第一漂移环偏压大小有关而与最外漂移环偏压大小无关，并对漏电流，阳极电位与各偏压之间的关系进行了理论解释。