基于界面自组装薄膜的电存储器件的研究

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基于固液界面反应的有机高稳定电存储器件有机电存储器件是指器件在相同电压下可以存在两种不同的电阻态,相当于存储器中的“0”态和“1”态,可广泛应用在数字信息存储器和电路开关之中;而固、液界面反应的方法则是一种新型薄膜制备工艺,它具有工艺简单、制膜均匀、易大面积制备等优点。因此基于固、液界面反应的有机电存储器件具有低成本、工艺简单、易于大面积制作和可折叠等各种优点,这为信息产业制造技术提供了新的发展方向,并有望最终替代无机材料,从而得到广泛的关注。本文主要研究了有机材料DMcT分子,我们利用界面反应的方法制备了两种可用于电存储器件的新型功能层薄膜,并对功能层薄膜进行了相应研究,继而通过工艺改进来提高器件性能,最终得到了两种具备高稳定性能的一次写入多次读取(WORM)电存储器件。我们对器件的功能层、界面等进行了初步研究,提出了相应的成膜机理以及器件的开关机制。本文具体工作如下:1、利用分子自组装技术在Al膜表面制备单分子层薄膜DMcT,研究了基于分子自组装技术的电存储器件Al/DMcT/Cu,对器件的制备工艺、基本电学性能、薄膜特性、界面特性等进行了相应研究,通过各种分析测试提出器件的filament模型导电机制;并对器件进行延伸拓展,在固、液界面反应方向进行了大量尝试探索,以期获得高性能的电存储器件。2、利用固、液界面原位反应的方法制备了Cu-DMcT配位聚合物薄膜,制备成电存储器件Cu/DMcT/Al,发现器件具备良好的电存储特性,对器件制备工艺进行大量改进尝试,改善了器件存储性能,并通过各种分析表征手段对器件开关机制进行了讨论分析。附录“动态”分子整流器研究本实验室之前已经对“动态”分子整流现象进行过一定研究探讨,本论文主要工作内容为:在实验室之前研究的基础上,对于“动态”分子高整流比现象进行了大量的统计验证。
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