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量子点敏化太阳能电池(Quantum Dot-sensitized Solar Cells，QDSSCs)是在染料敏化太阳能电池(Dye-sensitized Solar Cells, DSCs)的基础上发展起来的，由于量子点具有消光系数、多激子效应、带隙可调和制备简单，使得量子点电池的理论效率高达44％。但是目前量子点电池的最高效率只有10.6%，仍低于染敏电池的14.3%，同时更低于其理论转化率。本论文以氧化钛（TiO2）膜为半导体膜，研究了CdS/CdSe量子点共敏化体系中工艺参数、Mn掺杂、In掺杂对CdS/CdSe量子点电池性能的影响，内容和结论如下： （1）首先研究了CdS/CdSe共敏化体系中工艺参数对电池性能的影响。采用连续离子层吸附法（successive ionic layer adsorption and reaction，简称SILAR）制备CdS量子点，采用化学浴沉积法（chemical bath deposition，简称CBD）制备CdSe量子点。研究了SILAR法中CdS量子点沉积次数、Pt和Cu2S对电极、光阳极和CdSe化学浴沉积时间对电池性能的影响。当CdS量子点沉积次数为5次时，采用Cu2S对电极，CdSe化学浴沉积时间3h，所得的电池的性能最佳。短路电流密度（short cruciut current density,简称Jsc)达到15.05mA/cm2，开路电压（open circuit voltage，简称Voc）达到0.39V，填充因子（fill factor，简称FF）为0.37，光电转化率（photoelectric conversion efficient，简称PCE）达到2.12%。 （2）研究了Mn掺杂对CdS/CdSe量子点电池性能的影响。主要研究了Mn掺杂量和Mn掺杂方式对电池性能的影响。当Mn掺杂到CdS中，并且Mn掺杂量为42.86%时，所得电池性能最优。Jsc达到19.47mA/cm2，Voc为0.62 V，FF为0.56， PCE达到6.68%。 （3）研究了 In掺杂对CdS/CdSe量子点电池性能的影响。主要研究了In掺杂量和In掺杂方式对电池性能的影响。当In掺杂到CdS中，并且In掺杂量为9%时，所得电池性能最优。 Jsc达到14.53mA/cm2，Voc为0.58 V，FF为0.58，PCE达到4.91%。In掺杂相比不掺杂的电池的光电转化率提高了131%。