【摘 要】
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柔性电子器件因其优异的伸展性和弯曲性在许多学科领域都具有重要的应用价值,对于柔性磁性材料的研究是柔性电子器件研究中的重要部分。目前,对于Ni81Fe19/Ni50Mn50磁性薄膜体系交换偏置效应的相关研究都是围绕刚性衬底进行的,而从未在柔性衬底方面尝试过。本文围绕柔性衬底聚酰亚胺（PI）上制备的Ni81Fe19/Ni50Mn50双层膜以及Ni81Fe19/Ni50Mn50/Ni81Fe19三层膜的
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柔性电子器件因其优异的伸展性和弯曲性在许多学科领域都具有重要的应用价值,对于柔性磁性材料的研究是柔性电子器件研究中的重要部分。目前,对于Ni81Fe19/Ni50Mn50磁性薄膜体系交换偏置效应的相关研究都是围绕刚性衬底进行的,而从未在柔性衬底方面尝试过。本文围绕柔性衬底聚酰亚胺（PI）上制备的Ni81Fe19/Ni50Mn50双层膜以及Ni81Fe19/Ni50Mn50/Ni81Fe19三层膜的交换偏置效应展开一系列研究工作,并使用振动样品磁强计（VSM）测量了样品的磁性。本文的主要内容与结果如下:1.通过对比在硅片和PI上制备的Ni81Fe19/Ni50Mn50双层膜,发现两种衬底上薄膜的交换偏置场大小基本相同,但PI上薄膜的矫顽力比硅衬底上的大了近1.6倍。该研究结果为制备需要高矫顽力的柔性电子器件拓宽了应用范围。2.通过对比在PI衬底上制备的Ni81Fe19/Ni50Mn50双层膜和Ni81Fe19/Ni50Mn50/Ni81Fe19三层膜,发现双层膜的交换偏置场和矫顽力始终比三层膜的大,研究结果表明交换偏置场主要来自于反铁磁体效应。该研究有助于加深理解交换偏置的物理机制,并对基于交换偏置效应的自旋电子学器件的设计有一定的指导意义。3.通过在预弯曲的PI衬底上沉积Ni81Fe19/Ni50Mn50双层膜,发现应力的变化不会影响柔性衬底上双层膜交换偏置场的大小,但是凹衬底上薄膜的矫顽力最小,凸衬底上薄膜的矫顽力最大。该研究对制备柔性电子器件具有指导意义。
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