该论文的主要宗旨在于：通过调整合适的等离子体条件,在非晶/微晶相变区生长稳定优质的硅薄膜;并对薄膜的微结构、光电性质及其光致变化进行表征和研究.首先利用有效介质理论和渗透理论对非晶/微晶两相结构薄膜的电导率随薄膜中晶态体积百分含量的变化关系进行了计算.在此基础上,首次计算了两相结构硅薄膜的对可见光的吸收情况.通过调节等离子体条件,适当增加氢等离子体与生长表面的反应,在晶非/纳米晶相变阈生长了一些列硅薄膜,获得了光导率比器件质量非晶硅薄膜高2～3数量级、具有较高的光敏性（光.暗电导比为～10<4>）和高稳定性（光电导光致衰退小于10﹪）的硅薄膜.这种薄膜比典型的非晶硅具有更宽的长波光谱响应范围.通过微量硼补偿掺杂调节费密能级的位置到带隙的中部,使光电导的衰退进一步减小,甚至随光照而增加,出现反常的Staebler-Wroski效应.我们建立子瞬态光电导测量系统,研究了不同结构硅薄膜样品的瞬态光电导衰退过程及其光致变化过程.首次发现用两个指数函数相加的形式可以很好地拟合非晶硅薄膜的瞬态光电导下降和上升的过程,这表明有两上陷阱能级光电导瞬态过程中起作用,我们计算得到的陷阱能级的位置在导带下0.5eV附近,能级间距为0.04eV.通过比较不同的样品,得到适量硼掺杂的两相结构的硅薄膜样品具有最佳的稳定性.利用这两种结构的薄膜作为本征层,制备了p-i-n结电池,长时间光照后,电池的初邕效率为8.57﹪,稳定效率为8.01﹪,衰退量仅为初始值的6﹪.