【摘 要】
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随着集成电路向深亚微米量级发展,以及先进工艺技术的不断涌现,不但使一部分原有影响可靠性的问题更加突出,而且还产生了一些新的可靠性问题.然而当物理版图已经完成而设计者
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随着集成电路向深亚微米量级发展,以及先进工艺技术的不断涌现,不但使一部分原有影响可靠性的问题更加突出,而且还产生了一些新的可靠性问题.然而当物理版图已经完成而设计者只能做相对较少的逻辑改变.传统做法是通过寿命试验和失效分析来发现可靠性问题,来解决这些可靠性问题,必须要经历几个研制周期.因此要对这种事后检测分析的传统方法进行变革,而在电路的设计和制造过程中就应该考虑可靠性问题.该文在提出可靠性设计的基本概念的基础上,探讨了CMOS集成电路热载流子的失效机理,并分析了影响热载流子退化的主要因素,提出抗热载流子效应的可靠性设计的基本原则.对静电放电(ESD)进行了失效分析,提出了ESD保护电路的基本设计思想.并在传统保护措施的基础上利用LVTSCR结构,结合栅耦合技术,和抗噪声干扰技术,提出了ESD全芯片保护电路设计的设计规则,以及一套正确而快速的测试方法作为测试的准则,最后给出了正确的判断标准.
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