本文通过薄膜技术和光刻技术的结合,在DAC装置中一个砧面上沉积薄膜并光刻出单电极形状,利用压腔T301钢垫片的导电性能,将垫片作为另外一个电极,应用两点法实现高压下在位阻抗谱的精确测量。采用在位测量技术,对ZnX(S、Se、Te)半导体材料电学性质进行了研究。研究结果表明:材料电输运性质的变化、结构相变都可以通过直流和交流测量得到。不同的是直流法不适用高阻的测量,而交流法不适用低阻的测量。在应用阻抗谱测量纳米ZnS材料的结果中得知,界面电阻在压力作用下的变化能够通过阻抗谱的测量直接获得,在15GPa相变发生后,纳米ZnS的晶界电阻增加,晶粒电阻减小。ZnS的介电性质在相变点处也有个大的突变。在对不同氧化钛材料(初始结构)的测量结果表明,通过阻抗谱的测量,得到了晶粒与晶界电阻、晶粒与晶界弛豫频率、晶界空间电荷势等一系列参数,这些参数存在着一些不连续变化点,分析表明这些不连续的变化点与材料的结构,结构相变有着紧密的联系。其中,金红石氧化钛在12GPa和25GPa出现两个不连续的变化点,锐钛矿氧化钛在5GPa,12GPa和23GPa有三个不连续变化点。本文的阻抗谱的测量结果对深入了解II-VI族半导体材料的导电机制提供了实验规律和研究参考。