【摘 要】
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该论文针对既具有理论意义又有应用价值的铁磁/非铁磁隧穿结及磁电垒结构中依赖于电子自旋的输运现象进行了一些理论研究,揭示了其中的新效应及其物理机制,为可能的新型量子
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该论文针对既具有理论意义又有应用价值的铁磁/非铁磁隧穿结及磁电垒结构中依赖于电子自旋的输运现象进行了一些理论研究,揭示了其中的新效应及其物理机制,为可能的新型量子器件的设计开发提供理论依据.研究的内容及获得的主要结果如下:(1)基于群速度的概念,发展了一种既便于进行数值计算又有较为明确物理意义的计算隧穿时间的方法.(2)计算了铁磁体/绝缘体(半导体)双隧穿结中依赖于电子自旋的传输几率,并在此基础上讨论了电子传输几率的自旋极化度.(3)讨论了电子渡越稀磁(半磁)半导体异质结的隧穿时间问题.结果表明,电子的隧穿时间显著地依赖于隧穿电子的自旋量子态.(4)研究了外加电场对磁电垒结构隧穿性质的影响,计算了偏压下电子的传输几率及电流密度.(5)提出了一种具有新的磁场构型的磁电垒结构.
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