【摘 要】
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IGBT虽然在理论上兼具BJT和MOSFET的优点,但由于它自身结构特点（如固有的寄生NPN晶体管）和应用电路中某些元件（如续流二极管=、杂散电容等）的影响,使得IGBT在实际应用中对驱动电
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IGBT虽然在理论上兼具BJT和MOSFET的优点,但由于它自身结构特点（如固有的寄生NPN晶体管）和应用电路中某些元件（如续流二极管=、杂散电容等）的影响,使得IGBT在实际应用中对驱动电路和保护电路的要求较高.因此,要充分发挥IGBT的优越性能,确保电力电子装置的可靠运行,在强调采用先进的芯片技术来改善IGBT的开关特性和提高抗破坏耐量的同时,还必须合理设计和选择IGBT的驱动和保护电路,提高装置的可靠性.
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