双栅MOSFET是一种新型的高速度、低功耗MOS器件.与体硅MOSFET相比,双栅MOSFET具有众多优点:如优良的亚阈值特性、较高的等效载流子迁移率、较小的短沟道效应、有效的抑制与消除寄生效应以及较强的抗辐射能力等.由于漏源电流大、跨导高、延迟时间短,双栅MOSFET非常适合高速度、低功耗的高频电路.该论文的研究工作主要是进一步完善双栅MOSFET电流模型,并以此为理论依据,建立其Spice模型.同时还做了硅片背面减薄的工艺实验.该论文首先介绍了四种最新型的双栅MOSFET结构.接着利用等电位近似电流模型结合跨导最大变化法推导了双栅MOSFET的阈值电压表达式,利用此表达式详尽分析了双栅MOSFET的阈值电压特性,得到相关的特性曲线,最后验证了双栅MOSFET的弱反型机制.考虑到等电位近似电流模型仅适用于亚阈值区以及阈值电压附近的偏置区域,我们以SOI MOSFET的电流模型为基础,用另一个栅极代替SOI MOSFET的衬底,同时利用双栅MOSFET弱反型阈值电压以及硅膜电荷修正因子对模型进行修正,得到一个适用于所有偏置区的双栅MOSFET电流模型.接着依据此优化后的电流模型推导出双栅MOSFET的节点电容以及节点电荷,并以SOI MOSFET的交流小信号电路图为参考,画出了双栅MOSFET的等效电路图.依据此交流小信号模型并运用Tspice中建立器件宏模型的方法,我们把双栅MOSFET看成一个三节点二端口器件,求出多个取值点的节点电荷以及端口电流,建立了双栅MOSFET的Tspice宏模型外部表格,接着在Spice环境中调用此表格对其进行模拟,得到双栅MOSFET的转移特性曲线以及输出特性曲线.考虑到背面减薄在制备双栅MOSFET工艺中的重要性,最后进行了简易的硅片背面减薄工艺实验,并针对实验结果提出注氧制备薄膜的方法.