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多晶硅薄膜作为一类新型半导体材料,具有较高的光吸收率及光电导等优异性能,同时还兼有单晶硅材料高迁移率及非晶硅材料可大面积、低成本制备的优点。目前已被广泛应用于一些半导体器件和集成电路中。因此,该材料制备工艺引起了研究人员的广泛关注。本文主要研究常压化学气相沉积法(APCVD)多晶硅薄膜的制备工艺与性能影响。实验分别考察沉积温度、反应时间、Sill4浓度及衬底材料等条件对薄膜结构、晶相生长及性能方面的影响,并对ITO导电玻璃上薄膜的制备进行探讨,从而得到APCVD法多晶硅薄膜的制备工艺与性能的影响规律。研究表明：(1)以SiH4为硅源,N2为载气,采用APCVD方法在玻璃基板上成功制备了柱状多晶硅薄膜。随着沉积温度从700℃增加至1000℃,Si晶相快速增长,当温度为700℃,薄膜表面光滑,此时平均粗糙度Sq最小为9.04nm,晶粒尺寸最大(约150-200nnm)；随着反应时间从30s延长到60s,Si晶粒逐渐增大,薄膜均匀致密,表面粗糙度Sq最小为8.72m,但时间超过90s后却不利于柱状多晶硅薄膜在空间上的持续生长；随着Sill4浓度从1.0%增大到4.0%,Si薄膜的特征峰(111)、(220)、(311)均开始出现,且强度不断增强,峰形也越尖锐,故Sill4浓度增加至4.0%对APCVD法多晶硅薄膜生长有利。(2)对于APCVD法多晶硅薄膜的制备,ITO导电玻璃衬底较普通玻璃衬底表现出很强的诱导作用；所得薄膜产品颗粒均匀,表面粗糙度Sq可达8.49nm;同时也改善了薄膜的导电性。(3)随着沉积温度升高、反应时间延长或Sill4浓度增加,硅薄膜厚度均增加,致密性均提高,导致薄膜对光吸收逐渐增强,吸光度Amax=5.98；透射率下降,在可见光波长范围内Tmin=20.36%,颜色加深至金黄色。薄膜在ITO导电玻璃衬底上与在普通玻璃衬底上相比,前者对光的吸收更强,在可见光区域的透射率更低至6.23%；后者硅薄膜的方块电阻R□(≥0.521×105Ω/sq)比前者Ro(范围167.3～466.2Ω/sq)大2个数量级,故ITO导电玻璃上薄膜的电学性能更优异。