【摘 要】
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首次设计并研制了一种发射0.8μm的AlGaAs/GaAs高功率分别限制异质结单量子阱远结半导体激光器.通过将下波导层掺杂为p型实现p-n结与有源区的分离,设计了p型下波导层厚度分别
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首次设计并研制了一种发射0.8μm的AlGaAs/GaAs高功率分别限制异质结单量子阱远结半导体激光器.通过将下波导层掺杂为p型实现p-n结与有源区的分离,设计了p型下波导层厚度分别为0.3μm和0.1μm的两种远结器件.对高掺杂的欧姆接触层采用了层部微腐蚀技术,有效地限制了电流扩展,使器件的阈值电流下降幅度高达10mA.器件具有较好的直流特性和明显的远结特性,在老化初期阈值电流随老化时间的延续而下降.研究表明工艺制作过程中引入的应用、管芯损伤腔面沾污以键合效果不好等是引起实验中器件快退化的主要原因.对808nm氧化物条形AlGaAs/GaAs高功率量子阱半导体激光器进行电导数测试,确定器件快退化筛选判据为m>2.8,b>50mV,h<20mV.分析了电导数曲线和光导数曲线上的峰与器件的可靠性关系,确定反向峰通常对器件的可靠性影响不大,具有同向峰的器件通常是不可靠的器件.
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