论文主要研究了MgTiO₃-ZnTiO₃-CaTiO₃（MZC）系介质陶瓷材料高温、中温和低温烧结系列化、MZC系介质陶瓷材料及MLCC研究三方面的问题。MgTiO₃-ZnTiO₃（MZ）系陶瓷和CaTiO₃系陶瓷的高频介电损耗小，其电容温度系数在-55℃～125℃范围内可以相互补偿。通过调节MZC系的CaTiO₃含量、烧结制度和球磨工艺改变陶瓷的相组成和微观结构，获得高温烧结条件下优异的介电性能。CaTiO₃可以调节系统介电常数和温度系数，还能抑制MZ晶粒的过度生长。球磨时间和球磨介质都对MZC系陶瓷粉料的粒度分布影响大。分别添加ZnO-H₃BO₃（GD）复合氧化物和Li₂O₃-B₂O₃-SiO₂（G4）复合氧化物可将MZC系陶瓷的烧结温度降低，实现中温和低温烧结。在中温烧结条件下，GD复合氧化物玻璃液相可以促进CaTiO₃晶粒的充分形成，当CaTiO₃晶体已经完全形成时，过剩的玻璃液相则会促进Mg₂TiO₄→MgTiO₃的转化。在低温烧结条件下，随着G4复合氧化物添加量增加时，Mg²⁺进入ZnTiO₃晶体中取代Zn²⁺,形成（Zn,Mg）TiO₃固溶体,抑制了部分ZnTiO₃六方钛铁矿结构向Zn₂TiO₄立方反尖晶石结构的晶型转变。掺杂G4复合氧化物过多时，玻璃液相抑制了Mg²⁺进入ZnTiO₃晶体中取代Zn²⁺，ZnTiO₃不稳定大量转化为Zn2Ti3O8。另外，G4复合氧化物的制备工艺和球磨助剂对系统的相组成也有重要的影响。通过配方、实验工艺以及介电性能等方面的协调优化，得到了高温、中温和低温烧结条件下性能优良的MZC系陶瓷材料。（1）高温：添加1.3mol%CaTiO₃的MZC陶瓷在1270℃烧结2h时得到的介电性能较好，介电常数为22.62、介电损耗为1.310-5，和电容温度系数为20.51ppm/℃（-55℃～125℃）。（2）中温：添加8.25wt%GD玻璃的MZC陶瓷在1110℃烧结2h时得到的介电性能较好，介电常数为22.38、介电损耗为1.710-5，和电容温度系数为20.93ppm/℃（-55℃～125℃）。（3）低温：添加10.0wt%G4复合氧化物的MZC系陶瓷在900℃烧结8h时得到的介电性能较好，介电常数为20.88、介电损耗为9.510-5和电容温度系数为15ppm/℃（-55℃～125℃）。对于MZC系陶瓷材料的中试生产和MLCC研究，初试到中试的工艺对MZC陶瓷粉料的粒度分布影响较小，中试样品性能优良。MZC系MLCC的烧结温度低于圆片电容的烧结温度，应合理调节烧结温度。相对圆片电容来说，MLCC介电性能有所下降（介电常数和介电损耗）。