【摘 要】
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二维过渡金属硫属化合物(TMDCs)凭借其原子级的厚度、优异的光电性质以及良好的热稳定性成为延续摩尔定律的重要候选材料之一。为了实现二维电子器件的高品质构筑和大规模集成,实现晶圆级TMDCs薄膜的批量制备是关键的前提基础。化学气相沉积法(CVD)是最有望实现大面积、高质量二维材料批量制备的方法,目前利用该方法获得的TMDCs薄膜仍然存在尺寸难以放大、畴区尺寸小、层数不均匀等问题。此外,现有的薄膜呈
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二维过渡金属硫属化合物(TMDCs)凭借其原子级的厚度、优异的光电性质以及良好的热稳定性成为延续摩尔定律的重要候选材料之一。为了实现二维电子器件的高品质构筑和大规模集成,实现晶圆级TMDCs薄膜的批量制备是关键的前提基础。化学气相沉积法(CVD)是最有望实现大面积、高质量二维材料批量制备的方法,目前利用该方法获得的TMDCs薄膜仍然存在尺寸难以放大、畴区尺寸小、层数不均匀等问题。此外,现有的薄膜呈多晶状态,含有大量的畴区边界和晶格缺陷,这些缺陷态作为传导电子的散射中心,可大幅地降低器件迁移率等基本物
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Low temperature solid oxide fuel cell(LT-SOFC)is regarded an attractive device because of their unique characteristics such as fuel flexibility,environment friendly and high efficiency.Currently,the S
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