该文所采用的主要研究方法包括:首先利用托马斯-费米方程研究平面沟道电场的特征,具体计算了硅单晶的平面沟道势;然后用量子力学的变分原理计算了屏蔽距离;最后用经典力学中的摆模型对正电子在沟道中的运动加以分析,并且利用经典电动力学对正电子的沟道辐射进行理论计算.文中第一章,对沟道效应理论研究的历史发展和最新进展做了评述.在第二章,对静态连续势与考虑晶格热振动后的连续势进行了计算,结果表明:晶格原子的热振动对晶面附近(被屏蔽区域)的沟道势影响很大——温度越高,晶面附近的沟道势越小;对于其它区域影响则很小.在此基础上把描述粒子-原子势所用的托马斯-费米平均场自洽关系引入到平面沟道电场,得到平面沟道场的托马斯-费米方程,从微观角度描述了平面沟道电场.具体的计算结果表明,在分析沟道电场时,晶格原子的电子极化和离子化效应及整个晶体的晶格原子对平面沟道连续势的贡献是重要的.在第三章,利用变分方法计算了硅原子对1s和2s层电子的有效原子序数,从而得到2s层电子的屏蔽半径(即屏蔽距离).该方法能更好地保持理论本身的自洽性和完备性;计算得到的临界角和沟道坑半宽度更接近于实验结果.在第四章,对于正电子的运动及其运动正前方的沟道辐射和准沟道辐射谱的分析结果表明:一阶共振辐射强度最大,辐射强度随共振阶数的增大迅速减小;GeV量级正电子沟道辐射的共振能量在MeV量级,已进入γ能区;带电沟道粒子入射的初始条件决定辐射的状况;与沟道辐射相比较,正电子准沟道辐射的影响不应忽略.