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本论文利用北京大学2×1.7MV串列静电加速器产生的Si+和Au2+束流轰击碳纳米管、石墨、金刚石膜、聚苯乙烯、有机玻璃材料来模拟高能粒子轰击碳氢化合物。通过飞行时间的方法对轰击出的二次离子进行分析。 我们采用了标准样品定标和靶物质自定标相结合的定标方法，对以上几种材料的二次离子飞行时间谱进行了转换。在这三种材料的二次离子质谱大质量区间都发现了一个产额很高的孤立峰。经我们分析确定，该二次离子峰的质量数为156，是一个平面结构的碳团簇，由三个六方结构碳原子两两相连而成。这种结构能量比较低，结构稳定。 通过比较不同的束流轰击碳纳米管，对影响二次离子产额的因素进行了探究。实验结果表明，当入射离子能量在MeV附近时，二次离子产额与入射离子在靶物质中的阻止本领不再有明显的关系，而是与入射离子的横向歧离相关。入射离子在靶物质中的横向歧离越大，入射离子轰击靶物质引起的二次离子产额越高。